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        由东海自主研发的TaC材料及涂层技术,可应用于SiC外延用涂层盘、UVLED外延用涂层盘、SiC单晶生长部件,我们的TaC涂层解决工艺有以下几大优势:
1、出色的抗热冲击阻力
2、出色的抗物理冲击阻力
3、在高温下,出色的耐化学性(≤2500℃)
4、超高纯度
5、可加工成各种复杂的形状
6、Ta元素和C元素比例为1:1





SiC外延过程基座


UVLED工艺基座


SiC单晶生长坩埚


高温应用(不超过2500℃)


                 Susceptor

                      Jig

                  Crucible












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